| 专利名称 | 一种二硫化钼缓冲层硅 n-i-p 太阳能电池器件及其制备方法 | ||
| 专利号 | ZL201510034090.0 | 授权日期 | 2016-09-14 |
| 专利简介 | 本发明公开了一种二硫化钼/缓冲层/硅 n-i-p 太阳能电池器件， 其为层状结构，由上至下依次包括 Pd 金属前电极、MoS2 薄膜层、缓冲层、p 型单晶 Si 基片和金属 In 背电极，其中，缓冲层为具有宽禁带的介质材料，禁带宽度 Eg>3.0eV，作用主要包括两方面：一是，能够提高异质结界面内建电场；二是，阻挡载流子的界面复合特征。本发明通过界面缓冲层的引入，显著提高了器件的光伏性能，对比测试结果表明：开路电压、短路电流密度和光转换效率分别提高了 69%以上、47%以上和 85%以上。本发明具有器件结构简单，工艺简单、成品率高、制造成本低、生产过程无污染等特点，适于规模化工业生产。 | ||
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