| 专利名称 | 一种具有 ITO/Pd 双层结构复合电极的 MoS2/Si 异质结光伏器 件及其制备方法 | ||
| 专利号 | ZL201610902913.1 | 授权日期 | 2017-12-15 |
| 专利简介 | 本发明公开一种具有 ITO/Pd 双层结构复合电极的 MoS2/Si 异质结光伏器件，该器件为复合层层状结构，由上至下依次包括 ITO 透明导电层、Pd 金属层、MoS2 薄膜层、上下表面均具有 SiO2 钝化层的 Si 单晶基片和金属 In 背电极。其制备方法，主要采用直流磁控溅射技术、利用高能电子依次轰击不同靶材表面：首先 MoS2 靶材、然后 Pd 靶材，最后到 ITO 靶材，以溅射出大量离子并先后在经过钝化处理后的 Si 单晶基片表面上沉积叠加成多层结构材料；并制作出背电极层即成。本发明的具有 ITO/Pd 双层结构复合电极的 MoS2/Si 光伏器件，其光转换效率，相对于现有技术的同类产品，提高了100%以上。本发明的工艺简单、控制简便，成品率高且制造成本低，适于工业化生产。 | ||
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