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专利名称 太赫兹调制器、太赫兹调制器的制备方法和调谐方法
专利号 ZL201510149501.0 授权日期 2017-12-01
专利简介 本发明公开了一种太赫兹调制器、太赫兹调制器的制备方法和调谐方法。该太赫兹调制器包括:铜谐振环阵列(1)、二氧化钒薄膜(2)、二氧化硅基底(3)、宽带太赫兹源( 4 ) 和泵浦激光源( 5 ) , 其中, 铜谐振环阵列( 1 ) 和二氧化硅基底( 3 ) 形成超材料, 二氧化钒薄膜(2)镀在二氧化硅基底(3)的后表面。本发明实施的太赫兹调制器可以实现光控高速宽带太赫兹强度调制。
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