-
一种经过疏水高分子涂层表面修饰的配位聚合物膜材料、制备方法及该膜材料在重整气分离方面的应用,属于膜材料及其分离技术领域。本发明采用二次生长的方法在溶剂热条件下得到了载体支撑的配位聚合物膜材料,然后使用疏水高分子聚二甲氧基硅氧烷(PDMS)对其进行表面修饰。本发明所述的配位聚合物膜材料可广泛用于混合气体(H2/CO2、H2/CH4 或H2/N2)的分离,尤其可在重整气条件下(200℃,水蒸气体积含量 5%)进行氢气和其他气体分离。
2018-02-09 -
配位聚合物膜材料及其在二氧化碳分离方面的应用, 属于膜材料及其分离技术领域。本发明采用原位或二次生长的方法在不同的溶剂热条件下得到了自支撑和载体支撑的配位聚合物膜材料。结果表明相对于 CH4、N2 两种气体,H2 对 CO2 的分离效果最好,可以达到 9.3,高于努森扩散理论值(4.7), 同时 CO2 对 CH4、N2 两种其体的分离因子也高于努森扩散理论值。这些结果说明,本发明制备得到的膜材料可用于 CO2 和其他气体分离。同时,气体的透过率也很高,可以达到 10-6 数量级,有很高的实际应用价值。
2015-10-14 -
本发明公开了一种模拟哈氏合金在溴胶环境下腐蚀的试验方法,属于溴胶环境腐蚀的模拟技术领域。该方法首先对试样进行预处理,然后配制正丁烷溶液作为浸渍溶液,将预处理后的试样浸泡在浸渍溶液中一段时间,取出之后经过酸洗、干燥等步骤,即展开对腐蚀失重、腐蚀产物和腐蚀形貌分析的研究。本发明方法可以对哈氏合金等材料在溴胶环境下的腐蚀研究及耐蚀性进行快速评价, 通过本发明方法模拟得到的腐蚀失重曲线随时间变化的曲线与实际生产中的规律相一致,模拟得到的腐蚀形貌与实际生产中的腐蚀形貌相一致,在其试样表面都有大面积的、较深的点蚀坑形成,经过 多次重复试验证明,本发明模拟得到的结果具有良好的再现性。
2016-08-24 -
本发明公开了一种自修复涂层用微胶囊的制备方法,具体是利用原位聚合反应制备以聚脲醛为囊壁、以聚合物树脂和缓蚀剂的混合物为囊芯的微胶囊。其首先将一定量的尿素溶解在甲醛溶液中制备预聚物,然后选取一定量的聚合物树脂和十二烷基苯磺酸钠溶解在去离子水中,向其中添加缓蚀剂,加热保持温度在 60-70℃,并利用分散机进行分散处理使之形成水包油溶液;最后,将预聚物与水包油溶液混合,并向其中滴入消泡剂,调节 pH 至酸性,在搅拌的条件下反应 1-3h,待反应结束后冷却至室温,经过多次重复洗涤、抽滤、干燥后制备得到微胶囊。本发明制备的微胶囊可以广泛应用于聚合物树脂类涂层的自修复,延长其使用寿命,扩大其使用 范围。
2017-10-31 -
本发明公开了一种超强耐腐蚀性钕铁硼磁体的制备方法。其步骤为:1)母合金采用铸锭工艺制成钕铁硼铸锭合金或采用速凝薄片铸造工艺制成钕铁硼速凝薄片;2)将母合金氢爆或机械破碎,然后通过气流磨或球磨制成粉;3) 将母合金粉首先用除油液除油,然后用活化液活化;4) 将活化后的母合金粉加到镀液中,进行电镀铜,然后用真空烘干机烘干;5)烘干后的粉末在磁场中压制成型;6)在高真空烧结炉内制成烧结磁体;7)磁体表面除油活化后再电镀铜。采用该发明制得的烧结钕铁硼磁体的耐腐蚀性明显提高,镀层与基体界面结合力大,且工艺过程简单,适合于大规模批量化生产。
2015-04-08 -
本发明公开了一种单分散铁硼纳米化合物的制备方法。其步骤为:1)将耐高温有机溶剂升温至 120 度,并抽真空排除除杂质;2)然后将羰基铁、硼的前驱物注射进有机溶剂中,升温并保温 0.5-10 小时;3) 沉淀物经清洗、干燥后得到铁硼纳米化合物。本发明制备的铁硼纳米化合物呈单分散状态,粒度在 1-500nm 可控,该化合物具有优异的耐磨性和电化学性能。
2015-03-04 -
本发明公开了二-[四(三氟乙氧基)酞菁]铕双层配合物和三- [四(三氟乙氧基)酞菁]铕三层配合物两种目标化合物,制备方法如下:先将 4-硝基-1,2-二氰基苯、无水碳酸钾和 2,2,2-三氟乙醇作为初始原料,制备成前置配体 4-(2,2,2-三氟乙氧基)-1,2-二氰基苯;然后将前置配体 4-(2,2,2-三氟乙氧基)-1,2-二氰基苯在无水无氧的环境中以 1,8-二氮杂二环十一碳-7-烯为模板四聚形成四(三氟乙氧基)自由酞菁;再以四(三氟乙氧基)自由酞菁与乙酰丙酮铕为原料在无水无氧的条件下配位形成二-[四(三氟乙氧基)酞菁]铕双层配合物、三-[四(三氟乙氧基)酞菁]铕三层配合物。本发明合成出的两种目标化合物均具有较好的热稳定性和气敏性能,可在气敏传感器方面应用。
2018-03-20 -
本发明公开了四( 三氟乙氧基)自由酞菁和四( 三氟乙氧基)酞菁钴两种目标化合物,制备方法如下:先将 4-硝基-1,2-二氰基苯、无水碳酸钾和 2,2,2-三氟乙醇作为初始原料,制备成前置配体 4-(2,2,2-三氟乙氧基)-1,2-二氰基苯;然后将前置配体 4- (2,2,2-三氟乙氧基)-1,2-二氰基苯在无水无氧的环境中以 1,8-二氮杂二环十一碳-7-烯为模板四聚形成四(三氟乙氧基)自由酞菁;或再以四 ( 三 氟 乙 氧 基 ) 自由酞菁 H2Pc(OCH2CF3)4 与 乙 酸 钴(CoAC)为原料在无水无氧的条件下配位形成四(三氟乙氧基)酞菁钴。四(三氟乙氧基)自由酞菁和四(三氟乙氧基)酞菁钴均具有较好的热稳定性和气敏性能,可在气敏传感器方面应用。
2018-03-20 -
本发明公开了一种交联剂及交联可控耐温凝胶的制备方法, 交联剂的合成步骤为 :苯酚和甲溶液按物质的量之比为 1 :3.0-3.1 依次加入反应釜中,搅拌均匀,加入乙二胺催化剂,65-70℃ 油浴加热, 反应过程通过 TLC 检测观察, 待完全生成三羟甲基苯酚时,依次加入十六烷基三甲基氯化铵、环氧氯丙烷和 NaOH 溶液, 加热至 90℃反应 2h。 凝胶由以下质量百分比的组分制成 :(1)0.2-0.7%聚丙烯酰胺 ;(2)0.2-0.6%交联剂三羟甲基苯酚缩水甘油醚 ;(3)50ppm-200ppm 多元胺交联促进剂 (4) 其余为水。 本发明首次在凝胶体系中引入三羟甲基苯酚缩水甘油醚交联剂和多元胺交联促进剂,交联促进剂能有效调节交联时间,促使凝胶进一步交联提高凝胶强度,得到一种交联时间可控,具有高强度,高耐温性的凝胶。
2016-06-22 -
本发明提供了一种稠油热采封堵汽窜用体膨颗粒的制备方法,具体过程:将质量浓度为 20-60%的聚合单体水溶液,复合交联剂,引发剂,加入反应釜中,在 55-75℃下反应 2-3h 得聚合物胶块,将聚合物胶块挤出造粒,烘干粉碎后即得到稠油热采封堵汽窜用体膨颗粒。所述复合交联剂包括主交联剂和助交联剂, 总用量为聚合单体总质量的 3.5-6%;所述引发剂用量为聚合单体总质量的 0.02-0.5%。本发明合成的稠油热采封堵汽窜用体膨颗粒耐温性能良好,且在低温下不膨胀或膨胀倍率很小,高温下膨胀倍率很大,弥补了现有体膨颗粒耐温性能差、膨胀速率过快、耐盐性差、难以注如目的地层的缺陷。
2015-10-14 -
本发明公开了一种二硫化钼/缓冲层/硅 n-i-p 太阳能电池器件, 其为层状结构,由上至下依次包括 Pd 金属前电极、MoS2 薄膜层、缓冲层、p 型单晶 Si 基片和金属 In 背电极,其中,缓冲层为具有宽禁带的介质材料,禁带宽度 Eg>3.0eV,作用主要包括两方面:一是,能够提高异质结界面内建电场;二是,阻挡载流子的界面复合特征。本发明通过界面缓冲层的引入,显著提高了器件的光伏性能,对比测试结果表明:开路电压、短路电流密度和光转换效率分别提高了 69%以上、47%以上和 85%以上。本发明具有器件结构简单,工艺简单、成品率高、制造成本低、生产过程无污染等特点,适于规模化工业生产。
2016-09-14 -
本发明公开一种具有 ITO/Pd 双层结构复合电极的 MoS2/Si 异质结光伏器件,该器件为复合层层状结构,由上至下依次包括 ITO 透明导电层、Pd 金属层、MoS2 薄膜层、上下表面均具有 SiO2 钝化层的 Si 单晶基片和金属 In 背电极。其制备方法,主要采用直流磁控溅射技术、利用高能电子依次轰击不同靶材表面:首先 MoS2 靶材、然后 Pd 靶材,最后到 ITO 靶材,以溅射出大量离子并先后在经过钝化处理后的 Si 单晶基片表面上沉积叠加成多层结构材料;并制作出背电极层即成。本发明的具有 ITO/Pd 双层结构复合电极的 MoS2/Si 光伏器件,其光转换效率,相对于现有技术的同类产品,提高了100%以上。本发明的工艺简单、控制简便,成品率高且制造成本低,适于工业化生产。
2017-12-15